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BC212A Especificaciones técnicas

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer Central Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type PNP
Power - Max 300mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Manufacturer Standard Lead Time 16 Weeks
Frequency - Transition 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 2mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 200mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA
Supplier Device Package TO-92
Packaging Bulk
Other Names BC212A PBFREE
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 200mA 200MHz 300mW Through Hole TO-92
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BC212 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 50004
BC212 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 50004
BC212 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
BC212 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
BC212013BEN-E4 CSR CIs Calientes Especializados 2783
BC212013BL CSR CIs Calientes Especializados 5
BC212015BB N/A CIs Calientes Especializados 31
BC212015BBN-E4M CSR CIs Calientes Especializados 2753
BC212015BD CSR CIs Calientes Especializados 1238
BC212015BDN-E4 CSR CIs Calientes Especializados 21352

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