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2N6428
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2N6428 Especificaciones técnicas
THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual |
Manufacturer | Central Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 1.5W |
Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Manufacturer Standard Lead Time | 16 Weeks |
Frequency - Transition | 100MHz |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 250 @ 10mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
Supplier Device Package | TO-92 |
Packaging | Bulk |
Other Names | 2N6428 PBFREE |
Mounting Type | Through Hole |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Detailed Description | Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 200mA 100MHz 1.5W Through Hole TO-92 |
Current - Collector Cutoff (Max) | 25nA |
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
2N6426 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 51828 |
2N6426 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 51828 |
2N6426 | Central Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 51828 |
2N6426 | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
2N6426G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2788 |
2N6426G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
2N6426G | Rochester Electronics, LLC | Transistores BJT individuales | |
2N6426RLRA | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2696 |
2N6426RLRA | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
2N6426RLRA | Rochester Electronics, LLC | Transistores BJT individuales |
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