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2N5375 Especificaciones técnicas

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer Central Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V
Transistor Type PNP
Power - Max 360mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Manufacturer Standard Lead Time 16 Weeks
Frequency - Transition 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 150mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.3V @ 15mA, 150mA
Supplier Device Package TO-92
Packaging Bulk
Other Names 2N5375 PBFREE
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor PNP 30V 500mA 150MHz 360mW Through Hole TO-92
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
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