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2N5308
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2N5308 Especificaciones técnicas
TRANS NPN DARL 40V 0.3A TO-92
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual |
Manufacturer | Central Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Power - Max | 625mW |
Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 7000 @ 2mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 300mA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.4V @ 200µA, 200mA |
Supplier Device Package | TO-92 |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 60MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "2N530" partes
Las siguientes partes incluyen '2N530'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
2N5301 | Microsemi | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2646 |
2N5301 | Central Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2730 |
2N5301 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Transistores BJT individuales | |
2N5302 | Microsemi | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 0 |
2N5302 | Microsemi Corporation | Transistores BJT individuales | |
2N5302G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2549 |
2N5302G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
2N5303 | Microsemi | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2534 |
2N5303 | Central Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2664 |
2N5303 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Transistores BJT individuales |
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