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2N5116 Especificaciones técnicas

JFET P-CH 30V 0.5W TO18

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - JFETs
Manufacturer Central Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id 1V @ 1nA
Supplier Device Package TO-18
Power - Max 500mW
Package / Case TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type Through Hole
FET Type P-Channel
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 5mA @ 15V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) 30V
Resistance - RDS(On) 150 Ohm
Packaging Tube
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 25pF @ 15V
Drain to Source Voltage (Vdss) -
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
2N5114 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - JFETs 2983
2N5114 Microsemi Transistores - JFETs 2974
2N5114 Vishay / Siliconix Transistores - JFETs 587
2N5114 Vishay Siliconix Transistores JFETs
2N5114 Microsemi Corporation Transistores JFETs
2N5114-E3 Vishay / Siliconix Transistores - JFETs 2623
2N5114-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - JFETs 2520
2N5114-E3 Vishay Siliconix Transistores JFETs
2N5114JAN02 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - JFETs 2522
2N5114JAN02 Vishay / Siliconix Transistores - JFETs 2715

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