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2N4918 Especificaciones técnicas

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer Central Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V
Transistor Type PNP
Power - Max 30W
Package / Case TO-225AA, TO-126-3
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Manufacturer Standard Lead Time 16 Weeks
Frequency - Transition 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 50mA, 1V
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 100mA, 1A
Supplier Device Package TO-126
Packaging Bulk
Other Names 2N4918 PBFREE 2N4918CS
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor PNP 40V 1A 3MHz 30W Through Hole TO-126
Current - Collector Cutoff (Max) 100µA (ICBO)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
2N4910 Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2632
2N4911 Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 0
2N4911 Microsemi Corporation Transistores BJT individuales
2N4913 Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 80660
2N4913. AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 58660
2N4914 Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 81155
2N4914 MOT CIs Calientes Especializados 81155
2N4914. AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 58660
2N4915. AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 58660
2N4916 Central Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2664

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