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2N2102
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2N2102 Especificaciones técnicas
TRANS NPN 65V 1A TO-39
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual |
Manufacturer | Central Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 65V |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 1W |
Package / Case | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 150mA, 10V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | - |
Supplier Device Package | TO-39 |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Frequency - Transition | 60MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 2nA (ICBO) |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "2N210" partes
Las siguientes partes incluyen '2N210'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
2N2102 | STMicroelectronics | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 4914 |
2N2102 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Transistores BJT individuales | |
2N2102S | Microsemi | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2526 |
2N2102S | Microsemi Corporation | Transistores BJT individuales |
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