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2N1711 Especificaciones técnicas

TRANS NPN 50V 0.5A TO-39

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer Central Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN
Power - Max 800mW
Package / Case TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 15mA, 150mA
Supplier Device Package TO-39
Packaging Tube
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Frequency - Transition 70MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 10nA (ICBO)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
2N1711 STMicroelectronics Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 1464
2N1711 PBFREE Central Semiconductor Corp Transistores BJT individuales
2N1711S Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 52
2N1717 Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2606
2N1717S Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2674

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