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NESG7030M04-A Especificaciones técnicas

DISCRETE RF DIODE

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - RF
Manufacturer CEL (California Eastern Laboratories)
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 4.3V
Supplier Device Package M04
Packaging Bulk
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Frequency - Transition 5.8GHz
Current - Collector (Ic) (Max) 30mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Type NPN
Power - Max 125mW
Package / Case SOT-343F
Noise Figure (dB Typ @ f) 0.5dB ~ 0.75dB @ 2GHz ~ 5.8GHz
Gain 14dB ~ 21dB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 5mA, 2V
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NESG7030M04-A CEL Transistores BJT RF

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NESG7030M04-A fabricantes de marca: CEL (California Eastern Laboratories), Bonchip existencias, NESG7030M04-A precio de referencia. NESG7030M04-A parámetros, NESG7030M04-A Hoja de datos PDF y descarga de la descripción del diagrama de pines. Puede usar el NESG7030M04-A Conectores enchufables, DSP Hoja de datos PDF, buscar NESG7030M04-A diagrama de pines y diagrama de circuito y método de uso de la función, NESG7030M04-A tutoriales de electrónica. Puedes descargarlos desde el Bonchip.
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