NE85634-T1 Especificaciones técnicas

TRANS NPN 1GHZ SOT-89

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - RF
Manufacturer CEL (California Eastern Laboratories)
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 12V
Supplier Device Package SOT-89
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Frequency - Transition 6.5GHz
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Type NPN
Power - Max 2W
Package / Case TO-243AA
Noise Figure (dB Typ @ f) 1.4dB @ 1GHz
Gain -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 20mA, 10V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NE85618 NEC CIs Calientes Especializados 5
NE85618-A CEL (California Eastern Laboratories) Transistores - Bipolares (BJT) - RF 2712
NE85618-A CEL Transistores BJT RF
NE85618-T1-A CEL (California Eastern Laboratories) Transistores - Bipolares (BJT) - RF 63453
NE85618-T1-A CEL Transistores BJT RF
NE85619 NEC CIs Calientes Especializados 5
NE85619-A CEL (California Eastern Laboratories) Transistores - Bipolares (BJT) - RF 2581
NE85619-A CEL Transistores BJT RF
NE85619-T1 CEL (California Eastern Laboratories) Transistores - Bipolares (BJT) - RF 3150
NE85619-T1 CEL Transistores BJT RF

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