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NE85633-T1B-R25-A Especificaciones técnicas

RF TRANSISTOR NPN SOT-23

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - RF
Manufacturer CEL (California Eastern Laboratories)
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 12V
Supplier Device Package SOT-23
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Frequency - Transition 7GHz
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Type NPN
Power - Max 200mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Noise Figure (dB Typ @ f) 1.1dB @ 1GHz
Gain 11.5dB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 125 @ 20mA, 10V
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Las siguientes partes incluyen  'NE856' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NE85618 NEC CIs Calientes Especializados 5
NE85618-A CEL (California Eastern Laboratories) Transistores - Bipolares (BJT) - RF 2712
NE85618-A CEL Transistores BJT RF
NE85618-T1-A CEL (California Eastern Laboratories) Transistores - Bipolares (BJT) - RF 63453
NE85618-T1-A CEL Transistores BJT RF
NE85619 NEC CIs Calientes Especializados 5
NE85619-A CEL (California Eastern Laboratories) Transistores - Bipolares (BJT) - RF 2581
NE85619-A CEL Transistores BJT RF
NE85619-T1 CEL (California Eastern Laboratories) Transistores - Bipolares (BJT) - RF 3150
NE85619-T1 CEL Transistores BJT RF

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NE85633-T1B-R25-A fabricantes de marca: CEL (California Eastern Laboratories), Bonchip existencias, NE85633-T1B-R25-A precio de referencia. NE85633-T1B-R25-A parámetros, NE85633-T1B-R25-A Hoja de datos PDF y descarga de la descripción del diagrama de pines. Puede usar el NE85633-T1B-R25-A Conectores enchufables, DSP Hoja de datos PDF, buscar NE85633-T1B-R25-A diagrama de pines y diagrama de circuito y método de uso de la función, NE85633-T1B-R25-A tutoriales de electrónica. Puedes descargarlos desde el Bonchip.
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