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BDX33C-S Especificaciones técnicas

TRANS NPN DARL 100V 10A

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer Bourns, Inc.
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
Transistor Type NPN - Darlington
Power - Max 2W
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 750 @ 3A, 3V
Current - Collector (Ic) (Max) 10A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 2.5V @ 6mA, 3A
Supplier Device Package TO-220
Packaging Tube
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 10mA
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Otros incluyen   "BDX33"   partes

Las siguientes partes incluyen  'BDX33' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BDX33A ST CIs Calientes Especializados 481
BDX33A-S Bourns, Inc. Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2658
BDX33A-S Bourns Inc. Transistores BJT individuales
BDX33B Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2619
BDX33B AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2665
BDX33B ON Semiconductor Transistores BJT individuales
BDX33B Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
BDX33B-S Bourns, Inc. Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2754
BDX33B-S Bourns Inc. BDX33B-S
BDX33BG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2614

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