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BLD6G21L-50,112
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BLD6G21L-50,112 Especificaciones técnicas
RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT1130A
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - RF |
Manufacturer | Ampleon |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Test | 28V |
Transistor Type | LDMOS (Dual), Common Source |
Power - Output | 8W |
Package / Case | SOT-1130A |
Gain | 14.5dB |
Current Rating | 10.2A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Rated | 65V |
Supplier Device Package | CDFM4 |
Packaging | Tube |
Noise Figure | - |
Frequency | 2.02GHz |
Current - Test | 170mA |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "BLD6G" partes
Las siguientes partes incluyen 'BLD6G'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
BLD6G21L-50 | NXP Semiconductors / Freescale | CIs Calientes Especializados | 19 |
BLD6G21L-50,112 | Ampleon USA Inc. | Transistores MOSFET RF | |
BLD6G21L-50,112 | Rochester Electronics, LLC | Transistores MOSFET RF | |
BLD6G21LS-50 | NXP Semiconductors / Freescale | CIs Calientes Especializados | 1 |
BLD6G21LS-50,112 | Ampleon | Transistores - FETs, MOSFETs - RF | 2565 |
BLD6G21LS-50,112 | Ampleon USA Inc. | Transistores MOSFET RF | |
BLD6G22L-150BN | NXP | CIs Calientes Especializados | 2510 |
BLD6G22L-150BN/2 | NXP | CIs Calientes Especializados | 1437 |
BLD6G22L-50,112 | Ampleon | Transistores - FETs, MOSFETs - RF | 2755 |
BLD6G22L-50,112 | Ampleon USA Inc. | Transistores MOSFET RF |
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