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AOW10T60P Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 10A 5DFB

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-262
Power Dissipation (Max) 208W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700 mOhm @ 5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1595pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
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AOW10T60P Documentos

Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para AOW10T60P

Otros incluyen   "AOW10"   partes

Las siguientes partes incluyen  'AOW10' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
AOW10N60 Alpha and Omega Semiconductor, Inc. Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 26095
AOW10N65 Alpha and Omega Semiconductor, Inc. Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1175
AOW10T60 Alpha and Omega Semiconductor, Inc. Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2566

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