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AOU2N60 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 2A TO251

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-251-3
Power Dissipation (Max) 56.8W (Tc)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4 Ohm @ 1A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -50°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 325pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
AOU2N60A Alpha and Omega Semiconductor, Inc. Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5000
AOU2N60_001 Alpha and Omega Semiconductor, Inc. Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2740

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