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AOTF12N60 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 12A TO220F

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-220-3F
Power Dissipation (Max) 50W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550 mOhm @ 6A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2100pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
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Otros incluyen   "AOTF1"   partes

Las siguientes partes incluyen  'AOTF1' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
AOTF10B60D Alpha and Omega Semiconductor, Inc. Transistores - IGBTs - Individual 317
AOTF10B60D Alpha & Omega Semiconductor Inc. IGBTs individuales
AOTF10B60D MOS AO CIs Calientes Especializados 17888
AOTF10B60D2 Alpha and Omega Semiconductor, Inc. Transistores - IGBTs - Individual 4321
AOTF10B60D2 Alpha & Omega Semiconductor Inc. IGBTs individuales
AOTF10B60D2 AOTF10B60D AO/ CIs Calientes Especializados 5999
AOTF10B65LN1 AOS CIs Calientes Especializados 2543
AOTF10B65LN2 AOS CIs Calientes Especializados 4247
AOTF10B65M1 Alpha and Omega Semiconductor, Inc. Transistores - IGBTs - Individual 2560
AOTF10B65M1 Alpha & Omega Semiconductor Inc. IGBTs individuales

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