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AOTF11N62
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AOTF11N62 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 620V 11A TO220F
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Supplier Device Package | TO-220-3F |
Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650 mOhm @ 5.5A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1990pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 620V |
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Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para AOTF11N62
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Hojas de datos
2.AOTF11N62.pdf 1.AOTF11N62.pdf
Otros incluyen "AOTF1" partes
Las siguientes partes incluyen 'AOTF1'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
AOTF10B60D | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | Transistores - IGBTs - Individual | 317 |
AOTF10B60D | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBTs individuales | |
AOTF10B60D MOS | AO | CIs Calientes Especializados | 17888 |
AOTF10B60D2 | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | Transistores - IGBTs - Individual | 4321 |
AOTF10B60D2 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBTs individuales | |
AOTF10B60D2 AOTF10B60D | AO/ | CIs Calientes Especializados | 5999 |
AOTF10B65LN1 | AOS | CIs Calientes Especializados | 2543 |
AOTF10B65LN2 | AOS | CIs Calientes Especializados | 4247 |
AOTF10B65M1 | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | Transistores - IGBTs - Individual | 2560 |
AOTF10B65M1 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBTs individuales |
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