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AOT12N65 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 650V 12A TO220

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-220
Power Dissipation (Max) 278W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 720 mOhm @ 6A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2150pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
AOT12N30 AOS CIs Calientes Especializados 37695
AOT12N30 T12N30 AOS CIs Calientes Especializados 686
AOT12N30L Alpha and Omega Semiconductor, Inc. Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32372
AOT12N30L MOS AO CIs Calientes Especializados 4472
AOT12N40 AOS CIs Calientes Especializados 3403
AOT12N40L Alpha and Omega Semiconductor, Inc. Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1584
AOT12N50 Alpha and Omega Semiconductor, Inc. Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 31791
AOT12N50 IC AOS CIs Calientes Especializados 647
AOT12N60 Alpha and Omega Semiconductor, Inc. Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 445
AOT12N60FD Alpha and Omega Semiconductor, Inc. Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 28147

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