AOT11N60L Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 11A TO220

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-220
Power Dissipation (Max) 272W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650 mOhm @ 5.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1990pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
AOT1100 AOS CIs Calientes Especializados 898
AOT1100L Alpha and Omega Semiconductor, Inc. Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1214
AOT1100N AOS CIs Calientes Especializados 80
AOT11C60 Alpha and Omega Semiconductor, Inc. Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 459
AOT11C60L Alpha and Omega Semiconductor, Inc. Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2215
AOT11C60L MOS AO CIs Calientes Especializados 4722
AOT11C60P AOS CIs Calientes Especializados 7500
AOT11C60P AOT11C60 AO/ CIs Calientes Especializados 2470
AOT11C60PL Alpha and Omega Semiconductor, Inc. Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1439
AOT11N06L AOS CIs Calientes Especializados 83

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