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AOT10N65
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AOT10N65 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 650V 10A TO220
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Supplier Device Package | TO-220 |
Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
Package / Case | TO-220-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1 Ohm @ 5A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1645pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
AOT10N65 Documentos
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Hojas de datos
1.AOT10N65.pdf 2.AOT10N65.pdf
Otros incluyen "AOT10" partes
Las siguientes partes incluyen 'AOT10'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
AOT10B60D | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | Transistores - IGBTs - Individual | 22688 |
AOT10B60D | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBTs individuales | |
AOT10B60D IGBT | AOS | CIs Calientes Especializados | 3567 |
AOT10B65 | AOS | CIs Calientes Especializados | 2634 |
AOT10B65M1 | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | Transistores - IGBTs - Individual | 13589 |
AOT10B65M1 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBTs individuales | |
AOT10B65M1 MOS | AO | CIs Calientes Especializados | 9431 |
AOT10B65M2 | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | Transistores - IGBTs - Individual | 6255 |
AOT10B65M2 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBTs individuales | |
AOT10D65 | AOS | CIs Calientes Especializados | 2079 |
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