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TIP112G
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TIP112G Especificaciones técnicas
TRANS NPN DARL 100V 2A TO220AB
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Power - Max | 2W |
Package / Case | TO-220-3 |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 1A, 4V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 2A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 8mA, 2A |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 2mA |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "TIP11" partes
Las siguientes partes incluyen 'TIP11'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
TIP110 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2458 |
TIP110 | STMicroelectronics | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 8179 |
TIP110 | Central Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 8323 |
TIP110 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 8227 |
TIP110 | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
TIP110 | Central Semiconductor Corp | Transistores BJT individuales | |
TIP110-BP | Micro Commercial Components (MCC) | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2595 |
TIP110A | PJ | CIs Calientes Especializados | 2533 |
TIP110G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2635 |
TIP110G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales |
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