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SPZT651T1G Especificaciones técnicas

TRANS NPN 60V 2A SOT223-4

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Transistor Type NPN
Power - Max 800mW
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 75 @ 1A, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 2A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 200mA, 2A
Supplier Device Package SOT-223 (TO-261)
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition 75MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SPZT651T1G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
SPZT651T1G IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 24381

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