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SMUN5211DW1T1G Especificaciones técnicas

TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
Power - Max 187mW
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Supplier Device Package SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SMUN5111DW1T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices 2528
SMUN5111DW1T1G ON Semiconductor Matrices BJT Transistores
SMUN5111DW1T1G IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 3218
SMUN5111T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 7106
SMUN5111T1G ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
SMUN5112DW1T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 3325
SMUN5112DW1T1G ON Semiconductor Matrices de transistores BJT
SMUN5112T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2526
SMUN5112T1G ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
SMUN5113DW1T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2640

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