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SMUN5113T1G Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 47k
Power - Max 202mW
Package / Case SC-70, SOT-323
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Supplier Device Package SC-70-3 (SOT323)
Resistor - Base (R1) (Ohms) 47k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Las siguientes partes incluyen  'SMUN5' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SMUN5111DW1T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices 2528
SMUN5111DW1T1G ON Semiconductor Matrices BJT Transistores
SMUN5111DW1T1G IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 3218
SMUN5111T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 7106
SMUN5111T1G ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
SMUN5112DW1T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 3325
SMUN5112DW1T1G ON Semiconductor Matrices de transistores BJT
SMUN5112T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2526
SMUN5112T1G ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
SMUN5113DW1T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2640

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