SMMUN2111LT3G Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT-23

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
Power - Max 246mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SMMUN1003LT1 ON CIs Calientes Especializados 2862
SMMUN1003LT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 3224
SMMUN2111LT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2468
SMMUN2111LT1G ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
SMMUN2111LT1G IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 18271
SMMUN2111LT3G ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
SMMUN2113LT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2534
SMMUN2113LT1G ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
SMMUN2114LT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 301747
SMMUN2114LT1G ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados

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