SI9955DY Especificaciones técnicas

MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130 mOhm @ 3A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SI9955DYTR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
FET Feature Standard
Detailed Description Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 3A 900mW Surface Mount 8-SO
Base Part Number SI9955D
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SO
Power - Max 900mW
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 345pF @ 15V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SI9950DY VISHAY CIs Calientes Especializados 23032
SI9950DY-T1 VISHAY CIs Calientes Especializados 2603
SI9952 SILICONIX CIs Calientes Especializados 13
SI9952ADY SILICONIX CIs Calientes Especializados 3219
SI9952BDY SILICON CIs Calientes Especializados 2622
SI9952DY Original CIs Calientes Especializados 2722
SI9952DY-T1 SILICON CIs Calientes Especializados 2521
SI9952DY-T1-E3 VISHAY CIs Calientes Especializados 18868
SI9952DY-T1-E3 IC Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 3256
SI9952DY-T1-E3 MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 16318

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