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SGS10N60RUFDTU Especificaciones técnicas

IGBT 600V 16A 55W TO220F

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Test Condition 300V, 10A, 20 Ohm, 15V
Switching Energy 141µJ (on), 215µJ (off)
Reverse Recovery Time (trr) 60ns
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Type Standard
Gate Charge 30nC
Current - Collector Pulsed (Icm) 30A
Base Part Number SG*10N60
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 10A
Td (on/off) @ 25°C 15ns/36ns
Supplier Device Package TO-220F
Power - Max 55W
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type -
Detailed Description IGBT 600V 16A 55W Through Hole TO-220F
Current - Collector (Ic) (Max) 16A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SGS10N60RUFD FSC/ON CIs Calientes Especializados 9800
SGS10N60RUFDTU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2211
SGS10N60RUFDTU ON Semiconductor IGBTs individuales
SGS10N60RUFTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2622
SGS10N60RUFTU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2741
SGS10N60RUFTU ON Semiconductor IGBTs individuales
SGS10N60RUFTU Rochester Electronics, LLC IGBTs individuales

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