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RFP12N10L Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 12A TO-220AB

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200 mOhm @ 12A, 5V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V
Detailed Description N-Channel 100V 12A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±10V
Supplier Device Package TO-220AB
Power Dissipation (Max) 60W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Manufacturer Standard Lead Time 6 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 25V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
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Las siguientes partes incluyen  'RFP12' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RFP12N06 Intersil CIs Calientes Especializados 551
RFP12N06RLE HARRIS CIs Calientes Especializados 297
RFP12N08 F CIs Calientes Especializados 45251
RFP12N10 Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 45251
RFP12N10L Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1352
RFP12N10L ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
RFP12N10L Rochester Electronics, LLC Transistores MOSFET individuales
RFP12N10L MOSFETIGBTIC Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 493
RFP12N10L/F12N10L Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 1687
RFP12N18 VB CIs Calientes Especializados 45251

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