RFD8P05 Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 50V 8A I-PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300 mOhm @ 8A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80nC @ 20V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-251AA
Power Dissipation (Max) 48W (Tc)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description P-Channel 50V 8A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-251AA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RFD8P03LSM96 Intersil CIs Calientes Especializados 3338
RFD8P05 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2645
RFD8P05SM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 40416
RFD8P05SM HARRIS CIs Calientes Especializados 3698
RFD8P05SM MOS HARRIS CIs Calientes Especializados 297086
RFD8P05SM9A INTERSI CIs Calientes Especializados 9500
RFD8P05SM9A MOS Intersil CIs Calientes Especializados 3839
RFD8P06 INFINEON CIs Calientes Especializados 855
RFD8P06E FSC CIs Calientes Especializados 9
RFD8P06ESM F CIs Calientes Especializados 10275

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