PN2907ARLRA Especificaciones técnicas

TRANS PNP 60V 0.6A TO92

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Transistor Type PNP
Power - Max 625mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 600mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 50mA, 500mA
Supplier Device Package TO-92-3
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 200MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 10nA (ICBO)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
PN2906A Central Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2548
PN2907 FAIRCHILD CIs Calientes Especializados 10465
PN2907A Central Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 52767
PN2907A STMicroelectronics Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 5240
PN2907A,116 NXP Semiconductors / Freescale Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2526
PN2907A,126 NXP Semiconductors / Freescale Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2673
PN2907A-AP Micro Commercial Components (MCC) Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2521
PN2907A-AP Micro Commercial Co Transistores BJT individuales
PN2907ABU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2752
PN2907ABU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2560

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