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NVD5890NLT4G-VF01
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NVD5890NLT4G-VF01 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 40V 123A DPAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Supplier Device Package | DPAK |
Power Dissipation (Max) | 4W (Ta), 107W (Tc) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 4.5V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Ta), 123A (Tc) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7 mOhm @ 50A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4760pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
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Las siguientes partes incluyen 'NVD58'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NVD5802NT4G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 42776 |
NVD5802NT4G | ON | CIs Calientes Especializados | 498 |
NVD5802NT4G | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
NVD5802NT4G-TB01 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2645 |
NVD5802NT4G-VF01 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2660 |
NVD5803N | ON | CIs Calientes Especializados | 37443 |
NVD5803NT4G | ON | CIs Calientes Especializados | 2987 |
NVD5803NT4G | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
NVD5803NT4G MOS | VBSEMI | CIs Calientes Especializados | 12991 |
NVD5805NT4G | VB | CIs Calientes Especializados | 79923 |
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