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NVD5863NLT4G-VF01
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NVD5863NLT4G-VF01 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 60V 14.9A DPAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.1 mOhm @ 41A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3850pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14.9A (Ta), 82A (Tc) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | DPAK |
Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 96W (Tc) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
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Las siguientes partes incluyen 'NVD58'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NVD5802NT4G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 42776 |
NVD5802NT4G | ON | CIs Calientes Especializados | 498 |
NVD5802NT4G | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
NVD5802NT4G-TB01 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2645 |
NVD5802NT4G-VF01 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2660 |
NVD5803N | ON | CIs Calientes Especializados | 37443 |
NVD5803NT4G | ON | CIs Calientes Especializados | 2987 |
NVD5803NT4G | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
NVD5803NT4G MOS | VBSEMI | CIs Calientes Especializados | 12991 |
NVD5805NT4G | VB | CIs Calientes Especializados | 79923 |
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