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NVC3S5A51PLZT1G
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NVC3S5A51PLZT1G Especificaciones técnicas
MOSFET P-CHANNEL 60V 1.8A 3-CPH
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.6V @ 1mA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250 mOhm @ 1A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Other Names | NVC3S5A51PLZT1G-ND NVC3S5A51PLZT1GOSTR |
Mounting Type | Surface Mount |
Manufacturer Standard Lead Time | 12 Weeks |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 262pF @ 20V |
FET Type | P-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
Detailed Description | P-Channel 60V 1.8A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount 3-CPH |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | 3-CPH |
Power Dissipation (Max) | 1.2W (Ta) |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.8A (Ta) |
NVC3S5A51PLZT1G Documentos
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NVC3S5A51PLZT1G | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales |
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