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NTR1P02T3G Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Power Dissipation (Max) 400mW (Ta)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1A (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180 mOhm @ 1.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 165pF @ 5V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
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Otros incluyen   "NTR1P"   partes

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NTR1P02 AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 18273
NTR1P02ELT1G ON CIs Calientes Especializados 30500
NTR1P02LT1 SOT23 CIs Calientes Especializados 16364
NTR1P02LT1 Rochester Electronics, LLC Transistores MOSFET individuales
NTR1P02LT1 IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 30205
NTR1P02LT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5331
NTR1P02LT1G ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
NTR1P02LT1G IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 441
NTR1P02LT1G-001 AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 3314
NTR1P02LT1G_1027+ ON CIs Calientes Especializados 2500

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