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NTP65N02R Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 25V 7.6A TO220AB

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Supplier Device Package TO-220AB
Power Dissipation (Max) 1.04W (Ta), 62.5W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.5nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.6A (Ta), 58A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1330pF @ 20V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NTP65N02RG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 28305
NTP65N02RG Rochester Electronics, LLC NTP65N02RG

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