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NTP60N06LG Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Supplier Device Package TO-220AB
Power Dissipation (Max) 2.4W (Ta), 150W (Tj)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16 mOhm @ 30A, 5V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3075pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
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Otros incluyen   "NTP60"   partes

Las siguientes partes incluyen  'NTP60' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NTP60N06 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 45509
NTP60N06G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 27557
NTP60N06G MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 5403
NTP60N06L AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32363

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