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NTP2955G Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 60V 2.4A TO220AB

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 196 mOhm @ 12A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 700pF @ 25V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.4A (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-220AB
Power Dissipation (Max) 2.4W (Ta), 62.5W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NTP2955 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 28856
NTP2955 ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
NTP2955G ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales

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