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NTMS4101PR2 Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 20V 6.9A 8-SOIC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 450mV @ 250µA
Supplier Device Package 8-SOIC
Power Dissipation (Max) 1.38W (Tj)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.9A (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19 mOhm @ 6.9A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3200pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
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Otros incluyen   "NTMS4"   partes

Las siguientes partes incluyen  'NTMS4' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NTMS4101PR2G O CIs Calientes Especializados 17585
NTMS4105NR2G ON CIs Calientes Especializados 47740
NTMS4107NR2 ON CIs Calientes Especializados 2785
NTMS4107NR2G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 44247
NTMS4107NR2G ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
NTMS4118NR2 AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 30
NTMS4176PR2G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 70159
NTMS4177P AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 995
NTMS4177PE2G ON CIs Calientes Especializados 702
NTMS4177PR2G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2497

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