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NTMD2C02R2 Especificaciones técnicas

MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 43 mOhm @ 4A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 10V
FET Type N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SOIC
Power - Max 2W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.2A, 3.4A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NTMD2C02R2 ON Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
NTMD2C02R2G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 59216
NTMD2C02R2G ON Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
NTMD2C02R2G Rochester Electronics, LLC Matrices de transistores MOSFETs
NTMD2C02R2G MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 18995
NTMD2C02R2SG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2584
NTMD2C02R2SG ON Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
NTMD2C02R2SG Rochester Electronics, LLC Matrices de transistores MOSFETs
NTMD2P01R2 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 3900
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