NTMC1300R2 Especificaciones técnicas

MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 3A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 20V
FET Type N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SOIC
Power - Max 2W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.2A, 1.8A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NTMC1300R2 Rochester Electronics, LLC Matrices de transistores MOSFETs
NTMC1300R2 ON Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
NTMC1300R2 MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 19014

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