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NTLJF3118NTBG Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 20V 2.6A 6-WDFN

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Supplier Device Package 6-WDFN (2x2)
Power Dissipation (Max) 700mW (Ta)
Package / Case 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.7nC @ 4.5V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.6A (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65 mOhm @ 3.8A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 271pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NTLJF3117PRT1G ON CIs Calientes Especializados 600
NTLJF3117PT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3239
NTLJF3117PT1G ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
NTLJF3117PTAG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2505
NTLJF3117PTAG ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
NTLJF3118NTAG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2575
NTLJF3118NTAG Rochester Electronics, LLC Transistores MOSFET individuales
NTLJF4156NT AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 2724
NTLJF4156NT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1042
NTLJF4156NT1G ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales

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