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NTLJD3119CTAG Especificaciones técnicas

MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Series µCool™
Power - Max 710mW
Package / Case 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.7nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.6A, 2.3A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 6-WDFN (2x2)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65 mOhm @ 3.8A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 271pF @ 10V
FET Type N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NTLJD2104PTAG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2694
NTLJD2104PTAG Rochester Electronics, LLC Matrices de transistores MOSFETs
NTLJD2104PTAG ON Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
NTLJD2104PTBG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2676
NTLJD2104PTBG ON Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
NTLJD2104PTBG Rochester Electronics, LLC Matrices de transistores MOSFETs
NTLJD2105LTBG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 3486
NTLJD2105LTBG ON Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
NTLJD2105LTBG Rochester Electronics, LLC Matrices de transistores MOSFETs
NTLJD3115PT ON CIs Calientes Especializados 759

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