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NTJS3157NT4 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-363

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 400mV @ 250µA
Supplier Device Package SC-88/SC70-6/SOT-363
Power Dissipation (Max) 1W (Ta)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.2A (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 4A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 500pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
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Otros incluyen   "NTJS3"   partes

Las siguientes partes incluyen  'NTJS3' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NTJS3151PT1 ON CIs Calientes Especializados 2534
NTJS3151PT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 85146
NTJS3151PT1G ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
NTJS3151PT1G MOS AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 6306
NTJS3151PT2 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2769
NTJS3151PT2G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2620
NTJS3151PT2G ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
NTJS3157N ON CIs Calientes Especializados 18485
NTJS3157NT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 9406
NTJS3157NT1G ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales

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