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NTJD5121NT2G Especificaciones técnicas

MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SOT363

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6 Ohm @ 500mA, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 26pF @ 20V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package SC-88/SC70-6/SOT-363
Power - Max 250mW
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.9nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 295mA
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Otros incluyen   "NTJD5"   partes

Las siguientes partes incluyen  'NTJD5' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NTJD5121 ON CIs Calientes Especializados 2700
NTJD5121NT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 5369
NTJD5121NT1G ON Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
NTJD5121NT1G IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 432
NTJD5121NT2G ON Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs

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