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NTHD4P02FT1G Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package ChipFET™
Power Dissipation (Max) 1.1W (Tj)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.2A (Tj)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 155 mOhm @ 2.2A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
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Las siguientes partes incluyen  'NTHD4' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NTHD40102PT1G ON CIs Calientes Especializados 3500
NTHD4102PT1 ON CIs Calientes Especializados 13722
NTHD4102PT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 5433
NTHD4102PT1G ON Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
NTHD4102PT1G MOS AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 3400
NTHD4102PT3G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2750
NTHD4102PT3G ON Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
NTHD4401PT1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2507
NTHD4401PT1 ON Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
NTHD4401PT1 Rochester Electronics, LLC Matrices de transistores MOSFETs

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