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NTDV5805NT4G Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 40V 51A DPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package DPAK
Power Dissipation (Max) -
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 51A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5 mOhm @ 15A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1725pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NTDV5804NT4G VB CIs Calientes Especializados 5000
NTDV5804NT4G ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
NTDV5804NT4G IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 334

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