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NTD95N02R-1G
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NTD95N02R-1G Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 24V 12A IPAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Supplier Device Package | I-Pak |
Power Dissipation (Max) | 1.25W (Ta), 86W (Tc) |
Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 4.5V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta), 32A (Tc) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 20A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2400pF @ 20V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 24V |
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Las siguientes partes incluyen 'NTD95'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NTD95N02-001 | VB | CIs Calientes Especializados | 5000 |
NTD95N02-1G | VB | CIs Calientes Especializados | 5000 |
NTD95N02R | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 1702 |
NTD95N02R-001 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2793 |
NTD95N02R-001 | Rochester Electronics, LLC | Transistores MOSFET individuales | |
NTD95N02RG | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 10552 |
NTD95N02RG | Rochester Electronics, LLC | Transistores MOSFET individuales | |
NTD95N02RG MOS | VBSEMI | CIs Calientes Especializados | 5565 |
NTD95N02RT4 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2644 |
NTD95N02RT4G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 8448 |
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