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NTD60N02R-035 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 25V 8.5A IPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Supplier Device Package I-Pak
Power Dissipation (Max) 1.25W (Ta), 58W (Tc)
Package / Case TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.5A (Ta), 32A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1330pF @ 20V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
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Otros incluyen   "NTD60"   partes

Las siguientes partes incluyen  'NTD60' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NTD60N02 AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 70
NTD60N02KG ON CIs Calientes Especializados 3213
NTD60N02LT4 ON CIs Calientes Especializados 2792
NTD60N02R AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 7288
NTD60N02R MOS AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 753
NTD60N02R-001 ONS CIs Calientes Especializados 691
NTD60N02R-032 O CIs Calientes Especializados 10000
NTD60N02R-035 MOS AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 5277
NTD60N02R-1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 9436
NTD60N02R-1G Rochester Electronics, LLC Transistores MOSFET individuales

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