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NTD5867NLT4G
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NTD5867NLT4G Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39 mOhm @ 10A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 675pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | DPAK |
Power Dissipation (Max) | 36W (Tc) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
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Las siguientes partes incluyen 'NTD58'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NTD5802N | ON | CIs Calientes Especializados | 23171 |
NTD5802NT4G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 395 |
NTD5802NT4G | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
NTD5803N | ON | CIs Calientes Especializados | 23263 |
NTD5803NG | ON | CIs Calientes Especializados | 2637 |
NTD5803NG MOS | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 430 |
NTD5803NT4G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 462 |
NTD5803NT4G | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
NTD5803NT4G MOS | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 371 |
NTD5804N | ON | CIs Calientes Especializados | 18817 |
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