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NTD5807NT4G Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 40V 23A DPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package DPAK
Power Dissipation (Max) 33W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 31 mOhm @ 5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 603pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NTD5802N ON CIs Calientes Especializados 23171
NTD5802NT4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 395
NTD5802NT4G ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
NTD5803N ON CIs Calientes Especializados 23263
NTD5803NG ON CIs Calientes Especializados 2637
NTD5803NG MOS AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 430
NTD5803NT4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 462
NTD5803NT4G ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
NTD5803NT4G MOS AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 371
NTD5804N ON CIs Calientes Especializados 18817

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